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3 诺伊斯、基尔比和集成电路(4 / 5)

y.org/siliconengine/practical-monolithic-integrated-circuit-concept-patented/。克里斯托夫·勒库尔(ChristopheLecuyer)和大卫·布罗克,《微芯片制造商》(MakersoftheMicrochip),麻省理工学院出版社,2010年。罗伯特·诺伊斯,“半导体器件和引线结构”(SemiconductorDevice-and-LeadStructure),美国2981877号专利,1959年7月30日提交,1961年4月25日发布,https://patentimages.storage.googleapis.com/e1/73/1e/7404cd5ad6325c/US2981877.pdf。迈克尔·赖尔登(MichaelRiordan),《二氧化硅解决方案》(TheSiliconDioxideSolution),《IEEE综览》(IEEESpectrum),2007年12月1日,https://spectrum.ieee.org/the-silicon-dioxide-solution。莱斯利·柏林,《微芯片背后人》,第53-81页。几个月后,诺伊斯意识到霍尔尼“平面工艺”可以用于在同块硅材料上制备多个晶体管。诺伊斯并不知道基尔比,那时,基尔比在块锗基片上制作台面晶体管并使用键合线连接。诺伊斯在同硅片上使用霍尔尼平面工艺制作出多个晶体管。由于平面工艺在晶体管上覆盖层二氧化硅绝缘层,诺伊斯可以通过在上面沉积金属线,将“导线”直接放在硅片上实现晶体管之间连接。和基尔比样,诺伊斯制造种集成电路:在块半导体材料上放置多个电子元器件。但诺伊斯版本完全没有键合线,晶体管和导线被制造在同块材料上面。不久,基尔比和诺伊斯基于半导体材料开发“集成电路”被简称为“半导体”,或者被更简单地称为“芯片”。

莱斯利·柏林,《微芯片背后人》,第112页。诺伊斯、摩尔和他们在仙童同事知道,他们集成电路将比其他电子设备所依赖错综复杂电线更加可靠。与台面晶体管相比,将仙童“平面”设计小型化似乎要容易得多。与此同时,更小晶体管意味着消耗更少电力。诺伊斯和摩尔开始意识到小型化和低功耗是个强大组合:更小晶体管和更低功耗将为他们集成电路创造新应用。但刚开始,诺伊斯集成电路制造成本

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