机器来实现。
多年来，每
代制造技术都是以晶体管栅极
长度命名，栅是晶体管部分，可以控制晶体管打开和关闭。180纳米节点是在1999年首创，随后是130纳米、90纳米、65纳米和45纳米，每代晶体管都会缩小到足以在同区域内容纳大约两倍数量晶体管。这降低
每个晶体管功耗，因为较小晶体管需要较少电子流过它们。
大约在21世纪前十年早期，通过2D缩小晶体管来更密集地制造晶体管变得不可行。个挑战是，当晶体管按摩尔定律缩小时，即使开关关闭，狭窄沟道偶尔也会导致电流“泄漏”。除此之外，每个晶体管顶部二氧化硅层变得非常薄，以致产生量子效应，比如“量子隧穿效应”（电子穿越经典物理认为不可能跨越障碍）开始严重影响晶体管性能。到2005年左右，每个晶体管顶部二氧化硅层可能只有几个原子厚，这太薄，无法抑制电子隧穿。
为更好地控制电子运动，人们需要新材料和晶体管设计。与20世纪60年代以来使用2D设计不同，22纳米节点引入种新3D晶体管，称为FinFET，它看起来像鲸鱼背部突出鳍。连接晶体管两极导电通道不仅可以从鳍顶部施加电场，也可以从鳍侧面施加电场，从而加强对电子控制，以克服漏电现象。这些纳米级3D结构对于摩尔定律延续至关重要，但它们制作难度惊人，在沉积、蚀刻和光刻方面需要更高精度。这增加主要芯片制造商是否都能完美地实现FinFET结构转换，或者是否会落后不确定性。
采访蒋尚义，2021年。马克·拉皮杜斯（MarkLaPedus），《格芯是成功还是失败？》（WillGlobalFoundriesSucceedorFail?），《电子工程专辑》英文版，2010年9月21日，家独立公司成立时，行业分析人士认为，在3D晶体管竞争中，该公司处于可赢得市场份额有利地位。台积电前高管承认，台积电也在对此表示担心。格芯继承德国家大型工厂，并在纽约建造家新尖端工厂。与竞争对手不同，格芯把最先进生产能力建立在发达经济体，而不是亚洲。格芯与IBM和三星建立合作伙伴关系，共同开发技术，使客户可以直接与格芯或三星签订生产芯片合同。此外，无晶圆厂芯片设计公司渴望格芯成为台积电可靠竞争对手，因为这家中国台湾巨头已经占据全球约半芯片制造市场。
对于格芯来说，另个主要竞争对手是三星。三星芯片制造业务技术与台积电大致相当，尽管其生产能力弱得多。不过，由于三星部分业务涉及内部设计芯片，所以
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