迪伦·麦克格斯（DylanMcGrath），《英特尔再次减持阿斯麦股份》（IntelAgainCutsStakeinASML），《电子工程专辑》英文版，2018年10月12日。苹果并不是半导体行业中唯
拥有令人困惑
复杂供应链公司。到2010年末，荷兰光刻机公司阿斯麦已经花
近20年时间试图使极紫外光刻发挥作用。要做到这点，阿斯麦就需要在世界上搜寻最先进部件、最纯净金属、最强大激光器和最精确传感器。EUV光刻机是
们这个时代最大技术赌注之。2012年，在阿斯麦生产出功能性EUV光刻机之前几年，英特尔、三星和台积电都直接投资于阿斯麦，以确保其拥有足够资金继续开发未来芯片制造能力所需EUV光刻机。2012年，仅英特尔就向阿斯麦投资40亿美元。这是该公司有史以来最大赌注之。此前，英特尔在EUV光刻机上投入数十亿美元赠款和资金，可追溯到安迪·格鲁夫时代。
采访约翰·泰勒，2021年。EUV光刻机背后想法，正如位参与该项目科学家所说，与英特尔和其他芯片公司组成财团，当年给几个国家实验室提供“无限资金去解决个不可能解决问题”时，没有什
不同。这个概念与杰伊·莱思罗普倒置显微镜基本相同：通过使用掩模来阻挡部分光线，从而形成光波图案，然后投射到硅片上光刻胶上。光与光刻胶反应，使材料沉积或蚀刻成完美形状成为可能，从而完成芯片制造。
莱思罗普使用简单可见光和柯达生产现成光刻胶。通过使用更复杂透镜和化学物质，人们最终可以在硅片上刻出几百纳米尺寸形状。可见光波长本身是几百纳米，这取决于颜色，因此随着晶体管越来越小，它最终面临着极限。该行业后来转向波长为248纳米和193纳米紫外光，紫外光相比可见光可以更精确地雕刻出图形。但这还不够，因此人们将希望寄托在波长为13.5纳米极紫外光上。
使用EUV带来新困难，事实证明这个困难几乎不可能得到解决。在莱思罗普使用显微镜、可见光和柯达生产光刻胶地方，所有关键EUV光刻机部件都必须专门制作，你不能简单地买个EUV灯泡。要想产生足够EUV，需要用激光轰击个小锡球。西盟（Cymer）是由加州大学圣地亚哥分校两位激光专家创立公司，自20世纪80年代以来直是光刻光源领域主要参与者。该公司工程师们意识到，最好方法是以大约每小时200英里速度在真空中射出个三千万分之米直径小锡球，然后用激光照射锡两次，第次脉冲加热锡，第二次脉冲将锡球轰成温度约为50万摄氏度等离子体，这比太阳表面热很多倍。然后，这个轰锡过程每秒重复5万次，以产生制造芯片所需强度EUV。从那时起，复杂性增加令人难以置信，而以前莱思罗普光刻工艺只需借助于个简单灯泡作为光源。
采访两位通快高管，2021年。西盟光源需要由种新激光器以足够大功率轰击锡滴产生。这需要功率比以前任何激光器都要
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