ruyama）和徐鹏（PengXu，音译），《产能过剩和退出困难：来自日本电子行业
证据》（ExcessCapacityandtheDifficultyofExit:EvidencefromJapan'sElectronicsIndustry），斯普林格出版社新加坡分部，2021年。《决心推动
CCD“探测器”发展》（DeterminationDrovetheDevelopmentoftheCCD“ElectricEye”），索尼公司，
家从不在DRAM芯片上下大赌注公司，它成功地开发创新产品，比如图像传感器专用芯片。当光照射在硅上面时，这些芯片会产生与光强度相关电荷，将图像转换为数字信息。因此，索尼在引领数码相机g,m方面处于有利地位，至今该公司感知图像芯片仍然是世界级。即便如此，索尼仍未能削减亏损部门投资，其盈利能力自20世纪90年代初开始下滑。
肯基·霍耳（KenjiHall），《舛冈富士雄：感谢存储器》（FujioMasuoka:ThanksfortheMemory），彭博社，2006年4月3日。法兰·永（FalanYinung），《闪存市场崛起：对企业行为和全球半导体贸易模式影响》（TheRiseoftheFlashMemoryMarket:ItsImpactonFirmBehaviorandGlobalSemiconductorTradePatterns），《国际商业与经济杂志》（JournalofInternationalCommerceandEconomics），2007年7月。日本大多数大型DRAM生产商未能利用其在20世纪80年代影响力推动创新。在东芝——家DRAM巨头，位名叫舛冈富士雄（FujioMasuoka）中级工厂经理于1981年发明种新型存储器，与DRAM芯片不同，它可以在断电后继续“记忆”数据。东芝忽视这发明，最后是英特尔将这种新型存储芯片（通常称为“闪存”或NAND）推向市场。
安德鲁·波拉克，《美国芯片收益就是日本损失》（U.S.Chips'GainIsJapan'sLoss），《纽约时报》，1991年1月3日。冈田义高，《日本半导体产业衰落》，第41页。《半导体行业趋势》（TrendsintheSemiconductorIndustry），日本半导体历史博物馆，
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